一、试验样品Intel公司的组织的试验中用于了以下两个高密度装配测试板。（1）VFBGAPCB。VFBGAPCB如图1右图。硅芯片通过初始化相连到极薄的基板上。

试验所用的VFBGA，总PCB高度是1.0mm，间距0.5mm，植球之前量得的锡球直径是0.3mm。图10.5mm间距的VFBGAPCB图示（2）SCSPPCB。

SCSPPCB如图2右图，是一个塑模BGAPCB，可以取出两个或更加多的CSP芯片。这种填充式PCB的总PCB高度是1.4mm，间距0.8mm，植球之前量得的锡球直径为0.4mm。图20.8mm间距的SCSP这项评估用于的PCB板材是6层（1+4+1，中间4层，表面2层）FR4，在树脂覆铜表面制作微孔。PCB总厚度为0.8～1.0mm。

在这项研究中，用于了两种表面涂层，即ENIGNi/Au和Entec?PlusOSP。每块板上有10个元件单元。

1～5单元的印制板表面加装焊盘100%的都带上过孔，6～10单元是无过孔表面加装焊盘。PCB外侧的焊盘覆有电解镍和沉金，焊盘之间用阻焊膜图形分隔。二、装配工艺和实验设计（DOE）实验板通过表面加装技术将PCB相连在基板上。

所有装配好的板子都在X-射线检测设备上展开开路和短路测试。在板子传回Intel之前，对每个元件展开了电气相连测试，对过热元件不作了记号。

表格1右图是为VFBGA和SCSP元件创建的实验设计矩阵（仅有所列向后相容类型）。表格1实验DOE录：BWC回应逆向兼容性（钎料球为SAC的BGA，用SnPb焊膏相连的PCB）；FWC回应相反兼容性（钎料球为SnPb的BGA，用SAC焊膏相连的PCB）；铅对照回应PCB是SnPb钎料球的BGA，用SnPb焊膏相连。

在这个实验设计矩阵中，之所以自由选择如表所列的测试基准，其原因描述如下。（1）板面处置：研究中实地考察了两种表面处置：●ENIGNi/Au；●Entec?PlusOSP。（2）焊点合金组分：●BGA钎料球是无铅钎料（SAC405），焊膏中合金成分为SnPb；●对照组使用OSP芯片PCB外侧的焊盘合金是电解镀镍和闪金。

（3）再行东流温度：研究中比照了两种曲线，即●保温型曲线：接续阶段温度升到一个预计值，然后在这个温度下维持一段时间，以蒸发掉焊膏中的挥发性成分，同时使板上的纵向温度超过平衡。皆甘段之后，温度之后下降到钎料熔融段。用作典型的锡-铅板装配。●斜坡式曲线：几乎没上述的皆甘段。

当拒绝再行流炉获取较高的生产能力时使用这种曲线。（4）峰值温度：实验中分别使用了两个有所不同的峰值温度。

●峰值温度为208℃，再行东流时芯片SAC钎料球（熔点为217℃）会几乎熔融或塌陷。●峰值温度为（222+4）℃，再行东流时芯片SAC钎料球会熔融或塌陷。

（5）液相时间（TAL）：设计了两个有所不同的TAL（183℃以上）值。●较短的TAL是60～90s，不利于提升再行流炉生产能力，但由于熔融时间较短，有可能有利于钎料成分超过几乎均质。

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